Принцип
работы полупроводникового
стабилитрона мало отличается от
простого диода. Известно, что диод
при подаче на него напряжения в
обратном направлении практически
не пропускает ток. Но если это
напряжение чрезмерно увеличивать,
то произойдёт пробой: ток через
диод резко увеличивается за счёт
лавинно нарастающих в нём
процессов. (Если не принять мер,
ограничивающих этот ток, то диод
может выйти из строя.) Если для
обычных диодов пробивное
напряжение составляет десятки и
сотни вольт, то для стабилитронов, в
которых используется этот эффект,
напряжение пробоя, используя
специальную технологию, делают не
большим. Вольт-амперная
характеристика стабилитрона при
его прямом включении не отличается
от характеристики диода, которая с
хорошим приближением описывается
экспоненциальной функцией
,
где Is - обратный ток;
- термический потенциал (k - постоянная Больцмана; Т - температура;
e0-заряд электрона). Поправочный коэффициент m учитывает
отклонение от теории диода Шокли, и
его величина составляет несколько
единиц. Из этой формулы можно
определить дифференциальное
сопротивление стабилитрона в
прямом включении:

(1)
В этой работе
проверяется эта формула по
экспериментально полученной
зависимости тока от напряжения для
стабилитрона на участке, где
напряжение приложено в прямом
направлении, а также определяются
значения Is и m.
1 2 3